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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的产品未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收(kj完是吞了还是吐了知乎，kj是不是很恶心shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉(chkj完是吞了还是吐了知乎，kj是不是很恶心én)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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