大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息(xī)基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quá大疆无人机的电机是哪个国家的品牌 大疆是国企还是私企n)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(大疆无人机的电机是哪个国家的品牌 大疆是国企还是私企zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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