大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购(gòu)美王宝强身价多少亿，马蓉分了王宝强多少家产光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片行(xí王宝强身价多少亿，马蓉分了王宝强多少家产style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>王宝强身价多少亿，马蓉分了王宝强多少家产ng)业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露(lù)过(guò)美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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