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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。56是什么意思 56是什么尺码rong>为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合56是什么意思 56是什么尺码(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。