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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方)题危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约(yuē)为 9安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方4.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披(pī)露过(guò)美光(guāng)等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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