大家好，东隅已逝桑榆非晚是什么意思来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的(de)结(j东隅已逝桑榆非晚是什么意思ié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28东隅已逝桑榆非晚是什么意思％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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