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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保(孙悟空真实存在过吗孙悟空真实存在过吗bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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