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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá甲醚的结构式是什么什么形状，甲醚的结构简式怎么写)的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危(wēi)害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美光等国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，甲醚的结构式是什么什么形状，甲醚的结构简式怎么写如果美光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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