大家(jiā)好，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的(de)必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Mark台湾领导者是谁，现任台湾领导者是谁it）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多台湾领导者是谁，现任台湾领导者是谁设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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