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粤西是指什么地方

粤西是指什么地方 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查(chá)

  据网(wǎng)信办消息(xī),日前,网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

  审查(chá)发(fā)现(xiàn),美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题(tí)隐患,对(duì)我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险,影响(xiǎng)我国国家安全。为此,网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规,我(wǒ)国内(nèi)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

  此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查,目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安(ān)全,是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法(f粤西是指什么地方ǎ)律法规要求,欢迎各(粤西是指什么地方gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采购(gòu)!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)安全,防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国家安(ān)全(quán),依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美光是美国的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头,也(yě)是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一(yī),2022年收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额(é)约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司(sī)中,江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降,至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势,公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制,或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代,2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤(zhòu),同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽,催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披(pī)露,薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单,设备国产化(huà)进(jìn)程加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉(chén)积)等(děng)相关公司(sī)份额提升,以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科(kē)(CMP)、盛(shèng)美上(shàng)海(清(qīng)粤西是指什么地方洗(xǐ))等收入增长(zhǎng)。

 

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