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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查的结(jié)论。按(àn)照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī3尺是多少厘米，3尺3是多少厘米)，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平(píng)对(duì)外(wài)开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，3尺是多少厘米，3尺3是多少厘米x;'>3尺是多少厘米，3尺3是多少厘米g>国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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