大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链造(zào)成重大(dà)安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全(quán)审查办(bàn一周期是什么意思是多少天)法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升(shēn一周期是什么意思是多少天g)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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