大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中3502身份证号码开头是哪的，身份证号3502开头的是哪里人(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK3502身份证号码开头是哪的，身份证号3502开头的是哪里人 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún3502身份证号码开头是哪的，身份证号3502开头的是哪里人)储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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