大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安适合和合适的区别爱情，适合和合适的区别是什么(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审查的(de)结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大(dà)供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下(xi适合和合适的区别爱情，适合和合适的区别是什么à)游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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