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一升等于多少毫升应该是1000,一升等于多少毫升ml 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消息。

  美光公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查

  据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī),日前,网络安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患,对我国(guó)关键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风险,影响(xiǎng)我国国家安全。为此,网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规,我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查,目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全,是维护国家安全的(de)必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放,只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称,为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全,防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全风险,维(wéi)护国(guó)家安(ān)全(qu一升等于多少毫升应该是1000,一升等于多少毫升mlán),依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安全(quán)法》,网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收(shōu)入(rù)来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57%降(jiàng)至2022年约(yuē)11%。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

  美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降,至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē),确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性,巩固公司在(zài)下游市场的供应优势,公司(sī)也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

  有券商此前就分析,如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制,或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士,国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来可(kě)能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù),薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计为75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备国(guó)产化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相(xiāng)关公司份额提升,以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清(qīng)洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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