大家(jiā)好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问题危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安(ān)池鱼思故渊的上一句是什么，羁鸟恋旧林池鱼思故渊全风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(qu池鱼思故渊的上一句是什么，羁鸟恋旧林池鱼思故渊án)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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