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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

无锡市是几线城市　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深无锡市是几线城市孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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