大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全菠萝蜜切开没熟怎么补救，菠萝蜜切开没熟怎么补救，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大菠萝蜜切开没熟怎么补救，菠萝蜜切开没熟怎么补救供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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