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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光秋处露秋寒霜降是指哪六个节气？ 秋处露秋寒霜降是哪首诗公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和第三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是2秋处露秋寒霜降是指哪六个节气？ 秋处露秋寒霜降是哪首诗6.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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