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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《牛剖层皮革是不是真皮，牛皮革是什么材质网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zh牛剖层皮革是不是真皮，牛皮革是什么材质ǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)牛剖层皮革是不是真皮，牛皮革是什么材质力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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