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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力长岛冰茶好喝吗，十大断片鸡尾酒酒排名士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年长岛冰茶好喝吗，十大断片鸡尾酒酒排名美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大(dà)和(hé)第三长岛冰茶好喝吗，十大断片鸡尾酒酒排名大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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