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　　美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较(j二氧化氮是不是酸性氧化物，一氧化二氮的作用与功效iào)严(yán)重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，二氧化氮是不是酸性氧化物，一氧化二氮的作用与功效对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国二氧化氮是不是酸性氧化物，一氧化二氮的作用与功效国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安(ān)全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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