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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未(wèi)通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络(luò)安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司(sī)产品进行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

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　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场一面亲上边一面膜下边的，一面亲上边一面膜下边打扑克咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报一面亲上边一面膜下边的，一面亲上边一面膜下边打扑克(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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