大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了网省属国企和央企有什么区别 所有央企都是国企吗eight: 24px;'>省属国企和央企有什么区别 所有央企都是国企吗络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合(hé)约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业(yè)务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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