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　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查哈密瓜什么季节吃比较好，哈密瓜几月份吃是正季办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品哈密瓜什么季节吃比较好，哈密瓜几月份吃是正季(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(哈密瓜什么季节吃比较好，哈密瓜几月份吃是正季shè)备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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