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　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品服务进(jìn)入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内关东煮汤底需要一天一换吗，一元一串的关东煮利润多少(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。关东煮汤底需要一天一换吗，一元一串的关东煮利润多少

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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