大家好，来看(kà国际歌的作者是谁哪国人，国际歌作者是哪个国家的人n)一(yī)则突发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应(yīng)链(liàn)安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā国际歌的作者是谁哪国人，国际歌作者是哪个国家的人)安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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