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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华苟以天下之大而从六国破亡之故事是又在六国下矣翻译，苟以天下之大而从六国古今异义销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdi苟以天下之大而从六国破亡之故事是又在六国下矣翻译，苟以天下之大而从六国古今异义a（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。

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