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　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部说女的炮台是什么意思，说女生是炮台啥意思数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)说女的炮台是什么意思，说女生是炮台啥意思称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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