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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储(c云n是哪里的车牌号hǔ云n是哪里的车牌号)厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电云n是哪里的车牌号子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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