大家好，来看一(yī)则突(tū)发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的存美国管得了比尔盖茨吗储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)美国管得了比尔盖茨吗在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披美国管得了比尔盖茨吗露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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