大(dà文言文许行原文及翻译注释，文言文许行原文及翻译及注释)家好，来看一(yī)则突发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商(文言文许行原文及翻译注释，文言文许行原文及翻译及注释shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(l文言文许行原文及翻译注释，文言文许行原文及翻译及注释ái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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