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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ太深是一种什么体验，太深是不是不好)作出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是维(w太深是一种什么体验，太深是不是不好éi)护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应太深是一种什么体验，太深是不是不好商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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