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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存(cún)储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年高宽深用什么字母表示什么，高宽深用什么字母表示出来三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存(cún)高宽深用什么字母表示什么，高宽深用什么字母表示出来储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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