大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士c43排列组合公式怎么算，c43排列组合公式意义，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需c43排列组合公式怎么算，c43排列组合公式意义求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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