大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公黑玛瑙和红玛瑙哪个好，黑玛瑙为什么又叫短命石司在华销售产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guāng)黑玛瑙和红玛瑙哪个好，黑玛瑙为什么又叫短命石公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。<黑玛瑙和红玛瑙哪个好，黑玛瑙为什么又叫短命石/p>

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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