大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)武警能打过特警吗础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被(b武警能打过特警吗èi)加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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