大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是(shì)维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的(de)必要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外(wài)开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)娱乐圈睡得最多的女星，娱乐圈中睡男人最多的女明星份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng娱乐圈睡得最多的女星，娱乐圈中睡男人最多的女明星ff0000; line-height: 24px;'>娱乐圈睡得最多的女星，娱乐圈中睡男人最多的女明星)、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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