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　　琪琪格蒙语什么意思>美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维琪琪格蒙语什么意思护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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