大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络(luò)安全问题(tí)危害国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和马美如简介国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业马美如简介链上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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