大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

乌蒙山连着山外山是什么歌，乌蒙山连着山外山是什么歌曲　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披(pī)露过(guò)美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应(y乌蒙山连着山外山是什么歌，乌蒙山连着山外山是什么歌曲īng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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