大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查一山放过一山拦全诗原版，一山放过一山拦全诗是什么诗ong>

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产一山放过一山拦全诗原版，一山放过一山拦全诗是什么诗品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。