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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ猎德村一人分了多少钱，猎德村多少钱一方)对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美(měi)光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结猎德村一人分了多少钱，猎德村多少钱一方(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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