大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消黑头导出液是智商税吗，刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安(ān)黑头导出液是智商税吗，刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021黑头导出液是智商税吗，刷酸后黑头全冒出来了可以挤吗年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美(měi)国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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