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天津面积多少平方公里

天津面积多少平方公里 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来(lái)看一则(zé)突发消息。

  美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查(chá)

  据网信办消息(xī),日前,网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

  审查发(fā)现,美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险,影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此,网络安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规,我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全(quán)审查(chá),目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全,是(shì)维护国家安全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放,只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求,欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

  半导体突(tū)发(fā)!中国(guó)出(chū)手:停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月31日(rì),中国网信网发文(wén)称,为保障(zhàng)关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全,防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn),维护国家安(ān)全(quán),依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》,网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查(chá)。

  半导体突发!中(zhōng)国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一,2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额(é)约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)天津面积多少平方公里露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降,至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约,确保(bǎo)存储天津面积多少平方公里晶圆供应(yīng)的稳定性,巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì),公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

  有券(quàn)商此前就分析,如果美光在中国区销售(shòu)受到限制,或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔(kǒng),未(wèi)来可(kě)能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽,催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露,薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75%。自(zì)长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单,设备国产化进程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉(chén)积)等(děng)相关(guān)公司份额提升,以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上(shàng)海(清洗)等收入增长。

 

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