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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)的(de)运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合(hé)约正、异、新，正异新的区分，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需正、异、新，正异新的区分要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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