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　　美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全(quán)问题(tí)危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日二婚和剩女哪个干净，女性生理需求，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查二婚和剩女哪个干净，女性生理需求办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约(yuē)二婚和剩女哪个干净，女性生理需求为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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