大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī多多担待是什么意思 多多担待是敬语吗)础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过(guò)美(měi)光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)多多担待是什么意思 多多担待是敬语吗司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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