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最小的非负整数是多少数,最小的非负整数是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查

  据网信办消息,日前,网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美(měi)光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患,对我国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险,影响我国国家安全。为此(cǐ),网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规,我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

  此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安全最小的非负整数是多少数,最小的非负整数是什么意思审查,目的是(shì)防范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全,是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放(fàng),只要遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú),欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

  半(bàn)导体(tǐ)突发!中国(guó)出手(shǒu):停(tíng)止采(cǎi)购!

  3月31日,中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng),为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全(quán),防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险,维护国(guó)家安全,依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》,网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

  半导(dǎo)体突发!中国(guó)出手:停(tíng)止采购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一,2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM (内(nèi)存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

  美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约,确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势,公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果美光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售受(shòu)到限制,或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60:最小的非负整数是多少数,最小的非负整数是什么意思1的深孔,未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo),催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露,薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75%。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单,设备国产化进程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份额(é)提升,以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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