大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类平台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shān扣你几哇日语什么意思 扣你几哇撒由那拉是什么歌g)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立(lì)国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(g扣你几哇日语什么意思 扣你几哇撒由那拉是什么歌uān)公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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